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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
P3M06040K3
Numéro de pièce
P3M06040K3
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
PN Junction Semiconductor
Description
SICFET N-CH 650V 68A TO247-3
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
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Quantité
Prix
Prix total
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
68A
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 7.5mA (Typ)
Vgs (Max)
+20V, -8V
Dissipation de puissance (Max)
254W
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