P3M06060G7
Numéro de pièce
P3M06060G7
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
PN Junction Semiconductor
Description
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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En stock
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Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Dissipation de puissance (Max)
159W
Vgs (Max)
+20V, -8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
44A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20mA (Typ)
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