P3M12080K4
Numéro de pièce
P3M12080K4
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
PN Junction Semiconductor
Description
SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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En stock
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Quantité
Prix
Prix total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
47A
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
96mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 5mA (Typ)
Vgs (Max)
+21V, -8V
Dissipation de puissance (Max)
221W
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