P3M171K0K3
Numéro de pièce
P3M171K0K3
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
PN Junction Semiconductor
Description
SICFET N-CH 1700V 6A TO-247-3
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6A
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 2mA (Typ)
Vgs (Max)
+19V, -8V
Dissipation de puissance (Max)
68W
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 15V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Les derniers produits
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile