P3M173K0T3
Numéro de pièce
P3M173K0T3
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
PN Junction Semiconductor
Description
SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
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Quantité
Prix
Prix total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-2
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220-2L
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Dissipation de puissance (Max)
75W
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6Ohm @ 600mA, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 600µA (Typ)
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