PJT7808_R2_00001
Numéro de pièce
PJT7808_R2_00001
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
EMO Inc.
Description
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Tension Drain-Source (Vdss)
20V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Boîtier
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 500mA, 4.5V
Puissance - Max
350mW (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
67pF @ 10V
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