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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
QS1200SCM36
Numéro de pièce
QS1200SCM36
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Quest Semi
Description
1200V 36AMP SiC Mosfet
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2590
Statut RoHS
NO
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PDF：
Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 50
Quantité
Prix
Prix total
50
$1.38
$69
100
$1.28
$128
250
$1.1
$275
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Qualification
-
Grade
Automotive
Boîtier
TO-247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
2.8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
36A
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TO247-3
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 100µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1001 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)
198W
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