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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
QS120SCM80D2P
Numéro de pièce
QS120SCM80D2P
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Quest Semi
Description
1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2600
Statut RoHS
NO
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PDF：
Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$10.18
$10.18
10
$9.89
$98.9
250
$9.63
$2407.5
500
$9.08
$4540
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
250W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1001 pF @ 800 V
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7L
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 20 V
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