QS1700SCM8
Référence :
QS1700SCM8
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1700v 8AMP SiC Mosfet
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
2190
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 10
Qté
Prix
Total
10+
$4.35
$43.5
50+
$3.85
$192.5
100+
$3.41
$341
1000+
$3.08
$3080
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Qualification
-
Grade
Automotive
Boîtier
TO-247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
8A
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TO247-3
Dissipation de puissance (Max)
88W
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
142 pF @ 1000 V
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