RM12N650T2
Numéro de pièce
RM12N650T2
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Rectron USA
Description
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
3600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 2000
Quantité
Prix
Prix total
2000
$1.6
$3200
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220-3
Vgs (Max)
±30V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (Max)
101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 7A, 10V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile