SI2301S-2.3A
Numéro de pièce
SI2301S-2.3A
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
MDD
Description
MOSFET SOT-23 P Channel 20V
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
109600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 6000
Quantité
Prix
Prix total
6000
$0.21
$1260
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Vgs (Max)
±10V
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Tension Drain-Source (Vdss)
20 V
Dissipation de puissance (Max)
225mW (Ta)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
3.3V, 4.5V
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