TPC8109(TE12L)
Numéro de pièce
TPC8109(TE12L)
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Description
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Boîtier
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2260 pF @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOP (5.5x6.0)
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