TPC8207(TE12L)
Numéro de pièce
TPC8207(TE12L)
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Description
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8SOP
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
20V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Puissance - Max
750mW
Boîtier
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOP (5.5x6.0)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2010pF @ 10V
Les derniers produits
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Diodes Incorporated
onsemi
onsemi
onsemi
onsemi
onsemi
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile