TPCA8010-H(TE12L,Q
Numéro de pièce
TPCA8010-H(TE12L,Q
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Description
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Boîtier
8-PowerVDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 2.7A, 10V
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