TPD3215M
Numéro de pièce
TPD3215M
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
Transphorm
Description
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
FET Caractéristique
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Boîtier
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
Module
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
600V
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 8V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2260pF @ 100V
Puissance - Max
470W
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