TPH3202LD
Numéro de pièce
TPH3202LD
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Transphorm
Description
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Vgs (Max)
±18V
Dissipation de puissance (Max)
65W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
Fournisseur Dispositif Emballage
4-PQFN (8x8)
Boîtier
4-PowerDFN
Les derniers produits
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile