TPH3206LDGB
Numéro de pièce
TPH3206LDGB
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Transphorm
Description
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Vgs (Max)
±18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (Max)
81W (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
Fournisseur Dispositif Emballage
3-PQFN (8x8)
Boîtier
3-PowerDFN
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