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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
TPH3208PD
Numéro de pièce
TPH3208PD
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Transphorm
Description
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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Quantité
Prix
Prix total
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Dissipation de puissance (Max)
96W (Tc)
Vgs (Max)
±18V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
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