UMWSTD15NF10L
Numéro de pièce
UMWSTD15NF10L
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
UMW
Description
TO-252 MOSFETS ROHS
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
3980
Statut RoHS
NO
Partagez
PDF:
En stock
base.lang_mini : 2500
Quantité
Prix
Prix total
2500
$0.53
$1325
5000
$0.49
$2450
7500
$0.48
$3600
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252 (DPAK)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1535 pF @ 15 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
26.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
2W (Ta), 34.7W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
5A (Ta), 20A (Tc)
Les derniers produits
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP