VDG10N015LSA
Numéro de pièce
VDG10N015LSA
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Description
100V, Single N Channel MOSFET, R
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1800
Statut RoHS
NO
Partagez
PDF:
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$5.31
$5.31
10
$4.25
$42.5
100
$3.19
$319
500
$2.55
$1275
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
Boîtier
8-PowerSFN
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
324A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLL-8L
Dissipation de puissance (Max)
375W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9790 pF @ 50 V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP