WI71100TR
Numéro de pièce
WI71100TR
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Wise-Integration
Description
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
4094
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$6.59
$6.59
10
$5.05
$50.5
25
$4.66
$116.5
100
$4.24
$424
250
$4.04
$1010
500
$3.92
$1960
1000
$3.82
$3820
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
700 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Boîtier
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
17A (Tj)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PDFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 6V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 400 V
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