XP10TN028YT
Numéro de pièce
XP10TN028YT
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
YAGEO XSemi
Description
MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
2598
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.8
$0.8
10
$0.65
$6.5
100
$0.44
$44
500
$0.34
$170
1000
$0.31
$310
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2160 pF @ 50 V
Boîtier
8-PowerDFN
Fournisseur Dispositif Emballage
PMPAK® 3 x 3
Dissipation de puissance (Max)
3.125W (Ta)
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