XP10TN135H
Numéro de pièce
XP10TN135H
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
YAGEO XSemi
Description
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
2600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.68
$1.68
10
$1.26
$12.6
100
$0.85
$85
500
$0.67
$335
1000
$0.61
$610
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
17.6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
928 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (Max)
2W (Ta), 20.8W (Tc)
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