XP3N5R0AYT
Numéro de pièce
XP3N5R0AYT
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
YAGEO XSemi
Description
MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
2600
Statut RoHS
NO
Partagez
PDF:
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.92
$0.92
10
$0.6
$6
100
$0.4
$40
500
$0.32
$160
1000
$0.29
$290
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 15 V
Boîtier
8-PowerDFN
Dissipation de puissance (Max)
3.12W (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
PMPAK® 3 x 3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20A (Ta), 63.5A (Tc)
Les derniers produits
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP