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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
XP60AN750IN
Numéro de pièce
XP60AN750IN
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
YAGEO XSemi
Description
MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2600
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$2.29
$2.29
50
$1.09
$54.5
100
$1.07
$107
500
$0.97
$485
1000
$0.92
$920
2000
$0.87
$1740
5000
$0.84
$4200
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Boîtier
TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max)
±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220CFM
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
59.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2688 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (Max)
1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
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