XP65AN1K2IT
Numéro de pièce
XP65AN1K2IT
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
YAGEO XSemi
Description
MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2589
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$2.35
$2.35
50
$1.28
$64
100
$1.22
$122
500
$0.98
$490
1000
$0.9
$900
2000
$0.83
$1660
5000
$0.79
$3950
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-220-3 Full Pack
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Vgs (Max)
±30V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220CFM
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2048 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (Max)
1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
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