XP83T03GJB
Numéro de pièce
XP83T03GJB
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
YAGEO XSemi
Description
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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En stock
base.lang_mini : 4000
Quantité
Prix
Prix total
4000
$0.4
$1600
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Last Time Buy
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
60W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 10V
Boîtier
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1840 pF @ 25 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-251S
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