G33N03D3
Номер запчасти
G33N03D3
Классификация продуктов
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
8728
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$1.31
$1.31
10
$0.82
$8.2
100
$0.54
$54
500
$0.42
$210
1000
$0.38
$380
2000
$0.35
$700
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
28A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15nC @ 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (3x3)
Корпус
8-PowerVDFN
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
11mOhm @ 16A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
837pF @ 15V
Мощность - Максимальная
13W (Tc)
Новейшие продукты
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
onsemi
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
onsemi
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC