Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)
50V
FET Особенности
Logic Level Gate
Поставщик Устройство Корпус
SuperSOT™-6
Корпус
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
510mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2Ohm @ 510mA, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
20pF @ 25V
Мощность - Максимальная
700mW