Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
FET Особенности
Logic Level Gate
Vgs(th) (макс.) при Id
2.8V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Мощность - Максимальная
900mW
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5.3A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
30nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
720pF @ 15V