Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
16-SOIC
Корпус
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
25nC @ 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
FET Особенности
Logic Level Gate
Конфигурация
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
375pF @ 10V, 360pF @ 10V
Мощность - Максимальная
1.4W