GE17045EEA3
Номер запчасти
GE17045EEA3
Классификация продуктов
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
GE Aerospace
Описание
SIC 6N-CH 1700V 425A MODULE
Пакет
Bulk
Упаковка
Количество
1605
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$11495
$11495
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Квалификация
AEC-Q101
Корпус
Module
Поставщик Устройство Корпус
Module
Конфигурация
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Мощность - Максимальная
1250W
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700V (1.7kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
425A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 160mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
4.45mOhm @ 425A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1207nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
29100pF @ 900V
Новейшие продукты
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
onsemi
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
onsemi
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC