IRFD210
Номер запчасти
IRFD210
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Пакет
Tube
Упаковка
Количество
1600
Состояние RoHS
NO
Запасы
base.lang_mini : 0
Количество
Цены
Общая стоимость
Статус детали
Obsolete
Тип монтажа
Through Hole
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
4-HVMDIP
Корпус
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
600mA (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 360mA, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.2 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
140 pF @ 25 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканировать QR-код для мобильных