Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.7 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
200 pF @ 25 V
Поставщик Устройство Корпус
4-HVMDIP
Корпус
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.3W (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
700mA (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 420mA, 10V