2301
Номер запчасти
2301
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
3886
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$0.36
$0.36
10
$0.22
$2.2
100
$0.14
$14
500
$0.1
$50
1000
$0.09
$90
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Vgs (макс.)
±12V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
900mV @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
640 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.5 nC @ 2.5 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP