Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2.8A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.5 nC @ 2.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
366 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
890mW (Tc)