2301H
Номер запчасти
2301H
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
4351
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$0.29
$0.29
10
$0.17
$1.7
100
$0.11
$11
500
$0.08
$40
1000
$0.07
$70
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2.8A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.5 nC @ 2.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
366 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
890mW (Tc)
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP