Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
25A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
100W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
37 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
32mOhm @ 12A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2527 pF @ 30 V