Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
50 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
830mW (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
300mA (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-236AB