Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.1V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
950 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.4W (Tc)