Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.5V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.1W (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5.2A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
92mOhm @ 3.3A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
17.7 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
990 pF @ 15 V