Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
125W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7mOhm @ 10A, 6.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
32 nC @ 6.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2681 pF @ 50 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5.2x5.55)