Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
300W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
13A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
598 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
150mOhm @ 10A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8 nC @ 6 V