Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
300 pF @ 25 V
Корпус
3-SMD, SOT-23-3 Variant
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2.1A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.25W (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
3.3 nC @ 4.5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.1A, 4.5V