Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1W (Ta)
Корпус
3-SMD, SOT-23-3 Variant
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.5A (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
340 pF @ 15 V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7.2 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
52mOhm @ 4.2A, 10V