Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Not For New Designs
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.1W (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
46mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
11.3 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1128 pF @ 15 V