AS1M040120T
Номер запчасти
AS1M040120T
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Описание
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Пакет
Tube
Упаковка
Количество
1601
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$24.98
$24.98
30
$15.87
$476.1
120
$14.61
$1753.2
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
330W (Tc)
Корпус
TO-247-4
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 10mA
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
142 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2946 pF @ 1000 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP