Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
700mW (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Vgs(th) (макс.) при Id
1.25V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
220 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
3.81 nC @ 4.5 V