Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
330W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 10mA
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
142 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2946 pF @ 1000 V