Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
50 V
Рабочая температура
150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
130mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8Ohm @ 150mA, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
225mW (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
30 pF @ 30 V