Тип полевого транзистора
N-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
100W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Ta)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (макс.) при Id
3.2V @ 5mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
40 nC @ 15 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1810 pF @ 200 V